Сравнение

CSD13302W
Цена 0 160
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 0.2
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case 4-UFBGA, DSBGA
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Texas Instruments
упаковка / блок DSBGA-4
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия CSD13302W
reach status REACH Unaffected
supplier device package 4-DSBGA
длина 1 mm
коммерческое обозначение NexFET
series NexFETв„ў ->
количество каналов 1 Channel
base product number CSD13302 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки 1.6 A
rds вкл - сопротивление сток-исток 17.1 mOhms
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c 1.6A (Ta)
drain to source voltage (vdss) 12V
drive voltage (max rds on, min rds on) 2.5V, 4.5V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 7.8nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 862pF @ 6V
power dissipation (max) 1.8W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
vgs (max) В±10V
vgs(th) (max) @ id 1.3V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль