Сравнение

TK62N60W5,S1VF
Цена 3 100
Информация о производителе
Основные
вес, г 6
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок TO-247-3
серия TK62N60W5
время нарастания 190 ns
время спада 13 ns
коммерческое обозначение DTMOSIV
pd - рассеивание мощности 400 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 61.8 A
qg - заряд затвора 205 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 36 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 250 ns
типичное время задержки при включении 270 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль