Сравнение

IRFI740GPBF
Цена 0 160
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2.91
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия IRFI
время нарастания 25 ns
время спада 24 ns
pin count 3
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 40 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 3
ppap No
standard package name TO-220
supplier package TO-220FP
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 40000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type N
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 5.4 A
qg - заряд затвора 66 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 550 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 400 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 3.6 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 54 ns
типичное время задержки при включении 14 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 5.4
maximum drain source resistance (mohm) 550 10V
maximum drain source voltage (v) 400
maximum gate source voltage (v) ±20
typical fall time (ns) 24
typical gate charge @ 10v (nc) 66(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 66(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf) 1370 25V
typical rise time (ns) 25
typical turn-off delay time (ns) 54
typical turn-on delay time (ns) 14
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль