Сравнение

2SK3798(STA4,Q,M)
Цена 0 430
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1.7
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка Tube
упаковка / блок SC-67-3
серия 2SK3798
время нарастания 20 ns
время спада 45 ns
коммерческое обозначение MOSIV
pd - рассеивание мощности 40 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 4 A
qg - заряд затвора 26 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 3.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 900 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 1.4 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 165 ns
типичное время задержки при включении 65 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль