Сравнение

	TK110E10PL.S1X
Цена	570 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
время нарастания	6 ns
время спада	9 ns
коммерческое обозначение	U-MOSIX-H
pd - рассеивание мощности	87 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	42 A
qg - заряд затвора	33 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	16 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	43 ns
типичное время задержки при включении	20 ns