Сравнение

TK100A10N1.S4X
Цена 0 1 260
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок TO-220FP-3
серия TK100A10N1
длина 10 mm
коммерческое обозначение DTMOSIV
pd - рассеивание мощности 45 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 100 A
qg - заряд затвора 140 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 3.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль