Сравнение

	SI4835DDY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Цена	64 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
Вес и габариты	—
rds on - drain-source resistance	18mО© @ 10A,10V
transistor polarity	P Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	13A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	5.6W(Tc)