Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SSM6K217FE.LF
Цена	0 ₽	170 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	4000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Toshiba
упаковка	Ammo Pack	—
упаковка / блок	TO-92-3	ES6-6
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Surface Mount
operating temperature	—	150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	SOT-563, SOT-666
rohs status	—	RoHS Compliant
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.21.0095
серия	—	SSM6K
supplier device package	—	ES6
длина	—	1.6 mm
series	—	U-MOSVII-H ->
pd - рассеивание мощности	—	500 mW (1/2 W)
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	2SC4881 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	1.8 A
qg - заряд затвора	—	1.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	40 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	500 mV
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	1.8A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	40V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	1.8V, 8V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	1.1nC @ 4.2V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	130pF @ 10V
power dissipation (max)	—	500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	195mOhm @ 1A, 8V
vgs (max)	—	В±12V
vgs(th) (max) @ id	—	1.2V @ 1mA