Сравнение

	SSM6K217FE.LF
Цена	170 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	SOT-563, SOT-666
rohs status	RoHS Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	4000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	ES6-6
eccn	EAR99
htsus	8541.21.0095
серия	SSM6K
supplier device package	ES6
длина	1.6 mm
series	U-MOSVII-H ->
pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
количество каналов	1 Channel
base product number	2SC4881 ->
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	1.8 A
qg - заряд затвора	1.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
vgs - напряжение затвор-исток	12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	500 mV
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	1.8A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	40V
drive voltage (max rds on, min rds on)	1.8V, 8V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	1.1nC @ 4.2V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	130pF @ 10V
power dissipation (max)	500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	195mOhm @ 1A, 8V
vgs (max)	В±12V
vgs(th) (max) @ id	1.2V @ 1mA