Сравнение

	AP7384-33Y-13	AP7383-44W5-7	SSM3K15F.LF
Цена	0 ₽	0 ₽	160 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—
выходной ток	50мА	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—
package type	SOT-89	—	—
minimum operating temperature	-40 C	—	—
width	2.6mm	—	—
pin count	3+Tab	—	—
maximum operating temperature	+125 C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—
output type	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—
output voltage	3.3 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	150В°C
package	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status	—	—	RoHS Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.21.0095
supplier device package	—	—	S-Mini
series	—	—	ПЂ-MOSIV ->
base product number	—	—	2SC6010 ->
factory pack quantity: factory pack quantity:	—	—	3000
manufacturer:	—	—	Toshiba
maximum operating temperature:	—	—	+150 C
minimum operating temperature:	—	—	-55 C
mounting style:	—	—	SMD/SMT
product category:	—	—	MOSFET
product type:	—	—	MOSFET
series:	—	—	SSM3K15F
subcategory:	—	—	MOSFETs
packaging:	—	—	Reel, Cut Tape
package/case:	—	—	TO-263-3
tradename:	—	—	MOSVI
pd - power dissipation:	—	—	200 mW
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
number of channels:	—	—	1 Channel
qualification:	—	—	AEC-Q101
technology:	—	—	Si
configuration:	—	—	Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	100mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	30V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	2.5V, 4V
fet type	—	—	N-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	7.8pF @ 3V
power dissipation (max)	—	—	200mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	4Ohm @ 10mA, 4V
vgs (max)	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	1.5V @ 100ВµA
channel mode:	—	—	Enhancement
id - continuous drain current:	—	—	100 mA
rds on - drain-source resistance:	—	—	4 Ohms
transistor polarity:	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	—	—	30 V
vgs - gate-source voltage:	—	—	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	—	—	800 mV
typical turn-off delay time:	—	—	180 ns
typical turn-on delay time:	—	—	50 ns
forward transconductance - min:	—	—	25 mS