Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	CSD87384MT
Цена	0 ₽	720 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	0.0716
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Surface Mount
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	5-LGA
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	250
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Texas Instruments
упаковка / блок	—	PTAB-5
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	CSD87384M
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	5-PTAB (5x3.5)
длина	—	5 mm
время нарастания	—	56 ns, 49 ns
время спада	—	7.6 ns, 8.2 ns
коммерческое обозначение	—	NexFET
series	—	NexFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	8 W
количество каналов	—	2 Channel
base product number	—	CSD87384 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Dual
manufacturer product page	—	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки	—	30 A
qg - заряд затвора	—	9.2 nC, 40 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	6.4 mOhms, 1.95 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	8 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.9 V, 1.7 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	67 S, 240 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	2 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	14 ns, 29 ns
типичное время задержки при включении	—	8.7 ns, 17.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	30A
drain to source voltage (vdss)	—	30V
fet type	—	2 N-Channel (Half Bridge)
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	9.2nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	1150pF @ 15V
rds on (max) @ id, vgs	—	7.7mOhm @ 25A, 8V
vgs(th) (max) @ id	—	1.9V @ 250ВµA
power - max	—	8W
fet feature	—	Logic Level Gate