Сравнение

Цена 120
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance 15.1mО© @ 10A,10V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 100V
vgs - gate-source voltage 3.4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 50A
power dissipation-max (ta=25в°c) 3.2W
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль