Сравнение

SISS12DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 60 А, 0.00161 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mou
Цена 180
Информация о производителе
Основные
вес, г 3
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок PowerPAK-1212-8
серия SIS
время нарастания 27 ns
время спада 10 ns
коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности 65.7 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 60 A
qg - заряд затвора 89 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.98 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 151 S
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 28 ns
типичное время задержки при включении 15 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль