Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 SQ2319ADS-T1_BE3, MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)
Цена 0 0 0 210
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3
серия AP7384
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
factory pack quantity: factory pack quantity: 3000
manufacturer: Vishay
maximum operating temperature: +150 C
minimum operating temperature: -55 C
mounting style: SMD/SMT
product category: MOSFET
product type: MOSFET
series: SQ
subcategory: MOSFETs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases: SQ2319ADS-T1_GE3
package/case: SOT-23-3
tradename: TrenchFET
pd - power dissipation: 2.5 W
number of channels: 1 Channel
technology: Si
channel mode: Enhancement
id - continuous drain current: 4.6 A
qg - gate charge: 10.5 nC
rds on - drain-source resistance: 75 mOhms
transistor polarity: P-Channel
transistor type: 1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage: 40 V
vgs - gate-source voltage: -20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage: 2.5 V
typical turn-off delay time: 17 ns
typical turn-on delay time: 4 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль