Сравнение

SSM6N35FE,LM
Цена 0 120
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.0082
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 4000
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок ES6-6
серия SSM6N35
длина 1.6 mm
pd - рассеивание мощности 150 mW
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
id - непрерывный ток утечки 180 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток 20 Ohms, 20 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль