Сравнение

SQ3495EV-T1_GE3 KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена 210 120
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Reel, Cut Tape
упаковка / блок TSOP-6
время нарастания 51 ns
время спада 68 ns
pd - рассеивание мощности 5 W
другие названия товара № SQ3495EV
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 8 A
qg - заряд затвора 29 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 21 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 71 ns
типичное время задержки при включении 20 ns
вес, г 1.95
способ монтажа в отверстие
рабочая температура,с -55…+125
количество фаз 1
максимальное прямое напряжение,в 1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в 1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в 1000
при iпр.,а 1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а 2
максимальный обратный ток,мка 10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а 50
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль