Сравнение

	AP7384-33Y-13	CSD16403Q5A, транзистор 8SON
Цена	0 ₽	130 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	—
number of outputs	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	55 C
выходной ток	50мА	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—
package type	SOT-89	—
minimum operating temperature	-40 C	—
width	2.6mm	—
pin count	3+Tab	—
maximum operating temperature	+125 C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—
максимальное входное напряжение	40В	—
тип выхода	фиксированный	—
output type	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—
output voltage	3.3 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—
quiescent current	2.5uA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	2500
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Texas Instruments
упаковка / блок	—	VSONP-8
серия	—	CSD16403Q5A
длина	—	6 mm
время нарастания	—	18.3 ns
время спада	—	9.2 ns
коммерческое обозначение	—	NexFET
pd - рассеивание мощности	—	3.1 W
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
Структура	—	n-канал
максимальное напряжение сток-исток uси,в	—	25
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а	—	28
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	—	3.1
id - непрерывный ток утечки	—	100 A
qg - заряд затвора	—	13.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	2.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	25 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.6 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	91 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	15.2 ns
типичное время задержки при включении	—	11.8 ns
rds on - drain-source resistance	—	2.8mО© @ 20A,10V
transistor polarity	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	25V
vgs - gate-source voltage	—	1.9V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	28A
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	3.1W
крутизна характеристики s,а/в	—	91
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	—	1.6
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом	—	3.1
температура, с	—	-55…+150