Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SI4166DY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 30.5 А, 0.0032 Ом, SOIC, Surface Mount
Цена	0 ₽	290 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	2500
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Vishay Semiconductors
упаковка	Ammo Pack	—
упаковка / блок	TO-92-3	SO-8
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
вес, г	—	1
серия	—	SI4
длина	—	4.9 mm
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	—	6.5 W
другие названия товара №	—	SI4166DY-GE3
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	30.5 A
qg - заряд затвора	—	65 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	3.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.2 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel