Сравнение

	AP7383-44W5-7	SI4166DY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 30.5 А, 0.0032 Ом, SOIC, Surface Mount
Цена	0 ₽	290 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	1
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	2500
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	—	SO-8
серия	—	SI4
длина	—	4.9 mm
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	—	6.5 W
другие названия товара №	—	SI4166DY-GE3
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	30.5 A
qg - заряд затвора	—	65 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	3.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.2 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel