Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	SIS412DN-T1-GE3
Цена	0 ₽	18 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	—
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
вес, г	—	0.183
вид монтажа:	—	SMD/SMT
категория продукта:	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	—	- 55 C
подкатегория:	—	MOSFETs
производитель:	—	Vishay
серия:	—	SIS
тип продукта:	—	MOSFET
торговая марка:	—	Vishay Semiconductors
размер фабричной упаковки:	—	3000
другие названия товара №:	—	SIS412DN-GE3
упаковка / блок:	—	PowerPAK-1212-8
время нарастания:	—	10 ns, 12 ns
время спада:	—	10 ns
коммерческое обозначение:	—	TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности:	—	10 W
количество каналов:	—	1 Channel
технология:	—	Si
конфигурация:	—	Single
rds on - drain-source resistance	—	24mО© @ 7.8A,10V
transistor polarity	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	30V
vgs - gate-source voltage	—	2.5V @ 250uA
id - непрерывный ток утечки:	—	12 A
qg - заряд затвора:	—	8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	—	24 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток:	—	- 10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	—	1 V
канальный режим:	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:	—	17 S
полярность транзистора:	—	N-Channel
тип транзистора:	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения:	—	13 ns, 15 ns
типичное время задержки при включении:	—	5 ns, 15 ns
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	12A
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	3.2W