Сравнение

	SIS412DN-T1-GE3
Цена	18 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.183
вид монтажа:	SMD/SMT
категория продукта:	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	- 55 C
подкатегория:	MOSFETs
производитель:	Vishay
серия:	SIS
тип продукта:	MOSFET
торговая марка:	Vishay Semiconductors
размер фабричной упаковки:	3000
другие названия товара №:	SIS412DN-GE3
упаковка / блок:	PowerPAK-1212-8
время нарастания:	10 ns, 12 ns
время спада:	10 ns
Вес и габариты	—
коммерческое обозначение:	TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности:	10 W
количество каналов:	1 Channel
технология:	Si
конфигурация:	Single
rds on - drain-source resistance	24mО© @ 7.8A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	2.5V @ 250uA
id - непрерывный ток утечки:	12 A
qg - заряд затвора:	8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	24 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	30 V
vgs - напряжение затвор-исток:	- 10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	1 V
канальный режим:	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:	17 S
полярность транзистора:	N-Channel
тип транзистора:	1 N-Channel
типичное время задержки выключения:	13 ns, 15 ns
типичное время задержки при включении:	5 ns, 15 ns
continuous drain current (id) @ 25в°c	12A
power dissipation-max (ta=25в°c)	3.2W