Сравнение

IRF530SPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Цена 0 170
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка Tube
упаковка / блок TO-263-3
серия IRF
pin count 3
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 88 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
maximum operating temperature (°c) 175
mounting surface mount
part status active
pcb changed 2
ppap No
standard package name TO-263
supplier package D2PAK
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 3700
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type N
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 14 A
qg - заряд затвора 26 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 160 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 14
maximum drain source resistance (mohm) 160 10V
maximum drain source voltage (v) 100
maximum gate source voltage (v) ±20
typical fall time (ns) 24
typical gate charge @ 10v (nc) 26(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 26(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf) 670 25V
typical rise time (ns) 34
typical turn-off delay time (ns) 23
typical turn-on delay time (ns) 10
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль