Сравнение

SIHB16N50C-E3
Цена 0 1 940
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1.438
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка Reel, Cut Tape
упаковка / блок TO-263-3
время нарастания 156 ns
время спада 31 ns
pd - рассеивание мощности 38 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 16 A
qg - заряд затвора 45 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 560 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 29 ns
типичное время задержки при включении 27 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль