Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70SA-7	STW10NK60Z, Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Цена	0 ₽	0 ₽	610 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	Through Hole
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	TO-247
minimum operating temperature	-40 °C	—	-55 C
width	3.8mm	—	5.15mm
pin count	3	—	3
maximum operating temperature	+125 °C	—	+150 C
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—
количество выходов	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	—	40 C	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—
продукт	—	LDO Voltage Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	3000	—
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—
упаковка / блок	—	SOT-23-3	—
серия	—	AP7384	—
выходной ток	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-247-3
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	TO-247-3
series	—	—	SuperMESHв„ў ->
base product number	—	—	STW10 ->
number of elements per chip	—	—	1
channel type	—	—	N
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	—	—	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
transistor configuration	—	—	Single
maximum drain source voltage	—	—	600 V
maximum gate source voltage	—	—	-30 V, +30 V
maximum continuous drain current	—	—	10 A
transistor material	—	—	Si
maximum gate threshold voltage	—	—	4.5V
maximum drain source resistance	—	—	750 mΩ
channel mode	—	—	Enhancement
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	10A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	—	600V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	10V
fet type	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	70nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	1370pF @ 25V
power dissipation (max)	—	—	156W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	750mOhm @ 4.5A, 10V
vgs (max)	—	—	В±30V
vgs(th) (max) @ id	—	—	4.5V @ 250ВµA
minimum gate threshold voltage	—	—	3V
maximum power dissipation	—	—	156 W
typical gate charge @ vgs	—	—	50 nC 10 V