Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	STQ2LN60K3-AP
Цена	0 ₽	220 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	2000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	STMicroelectronics
упаковка	Ammo Pack	Ammo Pack
упаковка / блок	TO-92-3	TO-92-3
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
вес, г	—	0.22
серия	—	STQ2LN60K3-AP
время нарастания	—	8.5 ns
время спада	—	21 ns
линейка продукции	—	MDmesh K3 Series
коммерческое обозначение	—	MDmesh
количество выводов	—	3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	2.5 W
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
channel type	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	2.5Вт
power dissipation	—	2.5Вт
напряжение истока-стока vds	—	600В
id - непрерывный ток утечки	—	600 mA
qg - заряд затвора	—	12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	4.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	4.5 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	23.5 ns
типичное время задержки при включении	—	10 ns
стиль корпуса транзистора	—	TO-92
непрерывный ток стока	—	600мА
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	4Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	3.75В
монтаж транзистора	—	Through Hole
drain source on state resistance	—	4Ом