Сравнение

STQ2LN60K3-AP
Цена 0 220
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.22
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3
серия STQ2LN60K3-AP
время нарастания 8.5 ns
время спада 21 ns
линейка продукции MDmesh K3 Series
коммерческое обозначение MDmesh
количество выводов 3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности 2.5 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 2.5Вт
power dissipation 2.5Вт
напряжение истока-стока vds 600В
id - непрерывный ток утечки 600 mA
qg - заряд затвора 12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 4.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 23.5 ns
типичное время задержки при включении 10 ns
стиль корпуса транзистора TO-92
непрерывный ток стока 600мА
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 4Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs 3.75В
монтаж транзистора Through Hole
drain source on state resistance 4Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль