Сравнение

AP7384-70V-A SI5504BDC-T1-GE3
Цена 0 0 310
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3 ChipFET-8
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 0.085
серия SI54
длина 3.05 mm
время нарастания 80 ns, 60 ns
время спада 25 ns, 10 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 3.12 W, 3.1 W
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
id - непрерывный ток утечки 4 A, 3.7 A
qg - заряд затвора 7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 65 mOhms, 140 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 5 S, 3.5 S
полярность транзистора N-Channel, P-Channel
тип транзистора 1 N-Channel, 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 12 ns, 10 ns
типичное время задержки при включении 15 ns, 30 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль