Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	STP6NK90ZFP, Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Цена	0 ₽	0 ₽	190 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	SOT-23-3	—	—
серия	AP7384	—	—
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
mounting type	—	—	Through Hole
package type	—	—	TO-220FP
minimum operating temperature	—	—	-55 C
width	—	—	4.6mm
pin count	—	—	3
maximum operating temperature	—	—	+150 C
packaging	—	—	Tube
product category	—	—	Power MOSFET
series	—	—	MDmesh, SuperMESH
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	Compliant with Exemption
lead shape	—	—	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	—	—	150
mounting	—	—	Through Hole
part status	—	—	active
pcb changed	—	—	3
standard package name	—	—	TO-220
supplier package	—	—	TO-220FP
eccn (us)	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	30000
minimum operating temperature (°c)	—	—	-55
configuration	—	—	Single
package height	—	—	16.4(Max)
package length	—	—	10.4(Max)
package width	—	—	4.6(Max)
process technology	—	—	SuperMESH
number of elements per chip	—	—	1
channel type	—	—	N
tab	—	—	Tab
transistor configuration	—	—	Single
maximum drain source voltage	—	—	900 V
maximum gate source voltage	—	—	-30 V, +30 V
maximum continuous drain current	—	—	5.8 A
transistor material	—	—	Si
maximum gate threshold voltage	—	—	4.5V
maximum drain source resistance	—	—	2 Ω
channel mode	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	5.8
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	2000@10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	900
maximum gate source voltage (v)	—	—	±30
typical fall time (ns)	—	—	20
typical gate charge @ 10v (nc)	—	—	46.5
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	46.5@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	1350@25V
typical rise time (ns)	—	—	45
typical turn-off delay time (ns)	—	—	20
typical turn-on delay time (ns)	—	—	17
minimum gate threshold voltage	—	—	3V
military	—	—	No
maximum power dissipation	—	—	30 W
typical gate charge @ vgs	—	—	46.5 nC 10 V