Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIZ918DT-T1-GE3
Цена	520 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	PowerPAIR-6x5-8
серия	SIZ
время нарастания	12 ns, 22 ns
время спада	10 ns, 10 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	29 W, 100 W
другие названия товара №	SIZ918DT-GE3
количество каналов	2 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Dual
id - непрерывный ток утечки	16 A, 28 A
qg - заряд затвора	14 nC, 67.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	12 mOhms, 3.7 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V, 1.2 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	47 S, 116 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	2 N-Channel
типичное время задержки выключения	20 ns, 40 ns
типичное время задержки при включении	10 ns, 15 ns