Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A IRFIB7N50A
Цена 0 0 0 0 460
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 50
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Vishay / Siliconix
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-220-3
серия AP7384 IRFIB
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-220-3
длина 10.41 mm
product category Power MOSFET
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 3
ppap No
standard package name TO-220
supplier package TO-220FP
base product number IRFIB7 ->
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 60000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
технология Si
number of elements per chip 1
channel type N
technology MOSFET (Metal Oxide)
tab Tab
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 6.6
maximum drain source resistance (mohm) 520 10V
maximum drain source voltage (v) 500
maximum gate source voltage (v) ±30
typical fall time (ns) 28
typical gate charge @ 10v (nc) 52(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 52(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf) 1423 25V
typical rise time (ns) 35
typical turn-off delay time (ns) 32
typical turn-on delay time (ns) 14
current - continuous drain (id) @ 25в°c 6.6A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 500V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 52nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 1423pF @ 25V
power dissipation (max) 60W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 520mOhm @ 4A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 4V @ 250ВµA
крутизна характеристики s,а/в 6.1
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в 4
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом 520
температура, с -55…+150
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль