Сравнение

STP2NK90Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 1,3А, 70Вт, TO220-3
Цена 0 300
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1.95
тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
length 10.4мм
package type TO-220
minimum operating temperature -55 °C
width 4.6мм
pin count 3
maximum operating temperature +150 °C
series MDmesh, SuperMESH
height 15.75мм
number of elements per chip 1
максимальное рассеяние мощности 70 Вт
channel type N
transistor configuration Одинарный
maximum drain source voltage 900 В
максимальное сопротивление сток-исток 6,5 Ω
максимальное напряжение затвор-исток -30 В, +30 В
maximum continuous drain current 2,1 A
maximum gate threshold voltage 4.5V
типичный заряд затвора при vgs 19,5 нКл при 10 В
channel mode Поднятие
материал транзистора Кремний
minimum gate threshold voltage 3V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль