Сравнение

	NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]	STP2N62K3, Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена	130 ₽	95 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
артикул	NCE3050-TO220	—	—
вес, г	2	—	1.95
Вес и габариты	—	—	—
pin count	—	3	—
packaging	—	Tube	—
product category	—	Power MOSFET	—
automotive	—	No	—
eu rohs	—	Compliant with Exemption	—
lead shape	—	Through Hole	—
maximum operating temperature (°c)	—	150	—
mounting	—	Through Hole	—
part status	—	Obsolete	—
pcb changed	—	3	—
standard package name	—	TO-220	—
supplier package	—	TO-220	—
eccn (us)	—	EAR99	—
maximum power dissipation (mw)	—	45000	—
minimum operating temperature (°c)	—	-55	—
configuration	—	Single	—
package height	—	9.15(Max)	—
package length	—	10.4(Max)	—
package width	—	4.6(Max)	—
process technology	—	SuperMESH 3	—
number of elements per chip	—	1	—
channel type	—	N	—
tab	—	Tab	—
channel mode	—	Enhancement	—
maximum continuous drain current (a)	—	2.2	—
maximum drain source resistance (mohm)	—	3600@10V	—
maximum drain source voltage (v)	—	620	—
maximum gate source voltage (v)	—	±30	—
typical fall time (ns)	—	22	—
typical gate charge @ 10v (nc)	—	15	—
typical gate charge @ vgs (nc)	—	15@10V	—
typical input capacitance @ vds (pf)	—	340@50V	—
typical rise time (ns)	—	4.4	—
typical turn-off delay time (ns)	—	21	—
typical turn-on delay time (ns)	—	8	—
military	—	No	—
способ монтажа	—	—	в отверстие
рабочая температура,с	—	—	-55…+125
количество фаз	—	—	1
максимальное прямое напряжение,в	—	—	1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	—	1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	—	1000
при iпр.,а	—	—	1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	—	2
максимальный обратный ток,мка	—	—	10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	—	50