Сравнение

CSD16401Q5T
Цена 0 970
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.1285
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Surface Mount
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case 8-PowerTDFN
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 250
тип продукта MOSFET
торговая марка Texas Instruments
упаковка / блок VSON-Clip-8
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия CSD16401Q5
reach status REACH Affected
supplier device package 8-VSON-CLIP (5x6)
длина 6 mm
время нарастания 30 ns
время спада 12.7 ns
коммерческое обозначение NexFET
series NexFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности 156 W
количество каналов 1 Channel
base product number CSD16401 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки 100 A
qg - заряд затвора 21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 168 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 20 ns
типичное время задержки при включении 16.6 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 100A (Ta)
drain to source voltage (vdss) 25V
drive voltage (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 29nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 4100pF @ 12.5V
power dissipation (max) 3.1W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 1.6mOhm @ 40A, 10V
vgs (max) +16V, -12V
vgs(th) (max) @ id 1.9V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль