Сравнение

CSD17308Q3
Цена 290
Информация о производителе
Основные
вес, г 0.004
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Texas Instruments
упаковка / блок VSON-Clip-8
серия CSD17308Q3
длина 3.3 mm
время нарастания 5.7 ns
время спада 2.3 ns
коммерческое обозначение NexFET
pd - рассеивание мощности 28 W
количество каналов 1 Channel
средства разработки BQ500211AEVM-210
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 50 A
qg - заряд затвора 3.9 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 10.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 900 mV
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel Power MOSFET
типичное время задержки выключения 9.9 ns
типичное время задержки при включении 4.5 ns
rds on - drain-source resistance 10.3mО© @ 10A,8V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30V
vgs - gate-source voltage 1.8V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 14A
power dissipation-max (ta=25в°c) 2.7W
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль