Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	STP16N60M2
Цена	700 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
продукт	Power MOSFET
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка / блок	TO-220-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	STP16N60M2
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-220
длина	15.75 mm
время нарастания	9.5 ns
время спада	18.5 ns
коммерческое обозначение	MDmesh
series	MDmeshв„ў M2 ->
pd - рассеивание мощности	110 W
количество каналов	1 Channel
base product number	STP16 ->
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	12 A
qg - заряд затвора	19 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	320 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	58 ns
типичное время задержки при включении	10.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	12A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	600V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	19nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	700pF @ 100V
power dissipation (max)	110W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	320mOhm @ 6A, 10V
vgs (max)	В±25V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 250ВµA