Сравнение

AS7805AT-E1 CSD18535KTTT
Цена 0 0 210
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1
minimum operating temperature -40В°C
maximum operating temperature 125В°C
output type Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: Through Hole
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube
output voltage 5V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3
вес, г 14.33
moisture sensitivity level (msl) 2 (1 Year)
mounting type Surface Mount
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-263-4, DВІPak (3 Leads + Tab), TO-263AA
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Texas Instruments
упаковка / блок TO-263-3
чувствительный к влажности Yes
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия CSD18535KTT
reach status REACH Affected
supplier device package DDPAK/TO-263-3
длина 9.25 mm
время нарастания 3 ns
время спада 3 ns
коммерческое обозначение NexFET
series NexFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности 300 W
количество каналов 1 Channel
base product number CSD18535 ->
rohs В процессе перемещения
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки 200 A
qg - заряд затвора 81 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 2.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.9 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 263 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 19 ns
типичное время задержки при включении 9 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 200A (Ta), 279A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 60V
drive voltage (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 81nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 6620pF @ 30V
power dissipation (max) 300W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 2mOhm @ 100A, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 2.4V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль