Сравнение

SIHH100N60E-T1-GE3
Цена 0 2 150
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок PowerPAK-4
серия E
время нарастания 54 ns
время спада 41 ns
pd - рассеивание мощности 174 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 28 A
qg - заряд затвора 53 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 100 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 12 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 41 ns
типичное время задержки при включении 26 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль