|
|
|
|
|
| Цена |
0 ₽
|
0 ₽
|
0 ₽
|
120 ₽
|
| Информация о производителе |
—
|
—
|
—
|
—
|
| Основные |
—
|
—
|
—
|
—
|
| factory pack quantity: factory pack quantity: |
2500
|
—
|
—
|
—
|
| input voltage, max: |
25 V
|
—
|
—
|
—
|
| input voltage, min: |
7.5 V
|
—
|
—
|
—
|
| load regulation: |
20 mV
|
—
|
—
|
—
|
| manufacturer: |
Diodes Incorporated
|
—
|
—
|
—
|
| maximum operating temperature: |
+125 C
|
—
|
—
|
—
|
| minimum operating temperature: |
-40 C
|
—
|
—
|
—
|
| mounting style: |
SMD/SMT
|
—
|
—
|
—
|
| number of outputs: |
1 Output
|
—
|
—
|
—
|
| product category: |
Linear Voltage Regulators
|
—
|
—
|
—
|
| product type: |
Linear Voltage Regulators
|
—
|
—
|
—
|
| series: |
AS7805
|
—
|
—
|
—
|
| subcategory: |
PMIC-Power Management ICs
|
—
|
—
|
—
|
| packaging: |
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
—
|
—
|
—
|
| Вес и габариты |
—
|
—
|
—
|
—
|
| moisture sensitive: |
Yes
|
—
|
—
|
—
|
| output current: |
1 A
|
—
|
—
|
—
|
| output voltage: |
5 V
|
—
|
—
|
—
|
| output type: |
Fixed
|
—
|
—
|
—
|
| quiescent current: |
6 mA
|
—
|
—
|
—
|
| polarity: |
Positive
|
—
|
—
|
—
|
| line regulation: |
25 mV
|
—
|
—
|
—
|
| package / case: |
TO-252-2
|
—
|
—
|
—
|
| вид монтажа |
—
|
SMD/SMT
|
Through Hole
|
SMD/SMT
|
| категория продукта |
—
|
LDO регуляторы напряжения
|
LDO регуляторы напряжения
|
МОП-транзистор
|
| количество выходов |
—
|
1 Output
|
1 Output
|
—
|
| максимальная рабочая температура |
—
|
+ 125 C
|
+ 125 C
|
+ 150 C
|
| минимальная рабочая температура |
—
|
40 C
|
40 C
|
55 C
|
| подкатегория |
—
|
PMIC - Power Management ICs
|
PMIC - Power Management ICs
|
MOSFETs
|
| продукт |
—
|
LDO Voltage Regulators
|
LDO Regulators
|
—
|
| размер фабричной упаковки |
—
|
3000
|
2000
|
3000
|
| тип продукта |
—
|
LDO Voltage Regulators
|
LDO Voltage Regulators
|
MOSFET
|
| торговая марка |
—
|
Diodes Incorporated
|
Diodes Incorporated
|
Vishay / Siliconix
|
| упаковка / блок |
—
|
SOT-23-3
|
TO-92-3
|
SOT-323-3
|
| серия |
—
|
AP7384
|
—
|
SI1
|
| выходной ток |
—
|
50 mA
|
50 mA
|
—
|
| нестабильность выходной нагрузки |
—
|
0.5 %
|
0.5 %
|
—
|
| тип выхода |
—
|
Fixed
|
Fixed
|
—
|
| выходное напряжение |
—
|
7 V
|
7 V
|
—
|
| полярность |
—
|
Positive
|
Positive
|
—
|
| входное напряжение (макс.) |
—
|
40 V
|
40 V
|
—
|
| входное напряжение мин. |
—
|
3.3 V
|
3.3 V
|
—
|
| нестабильность выходного напряжения или тока |
—
|
0.05 %/V
|
0.05 %/V
|
—
|
| напряжение отпускания |
—
|
500 mV
|
500 mV
|
—
|
| подавление пульсаций питания - типич. |
—
|
60 dB
|
60 dB
|
—
|
| упаковка |
—
|
—
|
Ammo Pack
|
—
|
| вес, г |
—
|
—
|
—
|
0.01
|
| package / case |
—
|
—
|
—
|
SOT-323-3
|
| коммерческое обозначение |
—
|
—
|
—
|
TrenchFET
|
| minimum operating temperature |
—
|
—
|
—
|
-55 C
|
| factory pack quantity |
—
|
—
|
—
|
3000
|
| manufacturer |
—
|
—
|
—
|
Vishay
|
| maximum operating temperature |
—
|
—
|
—
|
+150 C
|
| mounting style |
—
|
—
|
—
|
SMD/SMT
|
| packaging |
—
|
—
|
—
|
Cut Tape or Reel
|
| product category |
—
|
—
|
—
|
MOSFET
|
| product type |
—
|
—
|
—
|
MOSFET
|
| series |
—
|
—
|
—
|
SI1
|
| subcategory |
—
|
—
|
—
|
MOSFETs
|
| pd - рассеивание мощности |
—
|
—
|
—
|
310 mW
|
| другие названия товара № |
—
|
—
|
—
|
SI1330EDL-T1
|
| количество каналов |
—
|
—
|
—
|
1 Channel
|
| configuration |
—
|
—
|
—
|
Single
|
| number of channels |
—
|
—
|
—
|
1 Channel
|
| tradename |
—
|
—
|
—
|
TrenchFET
|
| технология |
—
|
—
|
—
|
Si
|
| конфигурация |
—
|
—
|
—
|
Single
|
| part # aliases |
—
|
—
|
—
|
SI1330EDL-T1
|
| technology |
—
|
—
|
—
|
Si
|
| pd - power dissipation |
—
|
—
|
—
|
310 mW
|
| id - непрерывный ток утечки |
—
|
—
|
—
|
250 mA
|
| qg - заряд затвора |
—
|
—
|
—
|
0.4 nC
|
| rds вкл - сопротивление сток-исток |
—
|
—
|
—
|
2.5 Ohms
|
| vds - напряжение пробоя сток-исток |
—
|
—
|
—
|
60 V
|
| vgs - напряжение затвор-исток |
—
|
—
|
—
|
10 V
|
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток |
—
|
—
|
—
|
1 V
|
| канальный режим |
—
|
—
|
—
|
Enhancement
|
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. |
—
|
—
|
—
|
350 mS
|
| полярность транзистора |
—
|
—
|
—
|
N-Channel
|
| тип транзистора |
—
|
—
|
—
|
1 N-Channel
|
| типичное время задержки выключения |
—
|
—
|
—
|
12.8 ns
|
| типичное время задержки при включении |
—
|
—
|
—
|
3.8 ns
|
| channel mode |
—
|
—
|
—
|
Enhancement
|
| rds on - drain-source resistance |
—
|
—
|
—
|
2.5 Ohms
|
| transistor polarity |
—
|
—
|
—
|
N-Channel
|
| vds - drain-source breakdown voltage |
—
|
—
|
—
|
60 V
|
| vgs - gate-source voltage |
—
|
—
|
—
|
10 V
|
| id - continuous drain current |
—
|
—
|
—
|
250 mA
|
| typical turn-on delay time |
—
|
—
|
—
|
3.8 ns
|
| typical turn-off delay time |
—
|
—
|
—
|
12.8 ns
|
| forward transconductance - min |
—
|
—
|
—
|
350 mS
|
| qg - gate charge |
—
|
—
|
—
|
0.4 nC
|
| transistor type |
—
|
—
|
—
|
1 N-Channel
|
| vgs th - gate-source threshold voltage |
—
|
—
|
—
|
1 V
|
