Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	SI1330EDL-T1-E3
Цена	0 ₽	0 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	—
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	-55 C
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	+150 C
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	55 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	2000	3000
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	Vishay / Siliconix
упаковка	—	Ammo Pack	—
упаковка / блок	—	TO-92-3	SOT-323-3
выходной ток	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
вес, г	—	—	0.01
package / case	—	—	SOT-323-3
серия	—	—	SI1
коммерческое обозначение	—	—	TrenchFET
factory pack quantity	—	—	3000
manufacturer	—	—	Vishay
mounting style	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	MOSFET
product type	—	—	MOSFET
series	—	—	SI1
subcategory	—	—	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	—	—	310 mW
другие названия товара №	—	—	SI1330EDL-T1
количество каналов	—	—	1 Channel
configuration	—	—	Single
number of channels	—	—	1 Channel
tradename	—	—	TrenchFET
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
part # aliases	—	—	SI1330EDL-T1
technology	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	310 mW
id - непрерывный ток утечки	—	—	250 mA
qg - заряд затвора	—	—	0.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	2.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	1 V
канальный режим	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	350 mS
полярность транзистора	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	12.8 ns
типичное время задержки при включении	—	—	3.8 ns
channel mode	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	2.5 Ohms
transistor polarity	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	60 V
vgs - gate-source voltage	—	—	10 V
id - continuous drain current	—	—	250 mA
typical turn-on delay time	—	—	3.8 ns
typical turn-off delay time	—	—	12.8 ns
forward transconductance - min	—	—	350 mS
qg - gate charge	—	—	0.4 nC
transistor type	—	—	1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	1 V