Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIRC04DP-T1-GE3
Цена	500 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	PowerPAK-SO-8
серия	SIR
время нарастания	55 ns
время спада	9 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности	50 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	60 A
qg - заряд затвора	16.6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	3.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, - 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.1 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	140 S
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	25 ns
типичное время задержки при включении	30 ns