Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SSM3K72CFS,LF
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	59 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	3000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	Toshiba
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	SOT-416-3
серия	AP7384	—	—	SSM3K36
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
вес, г	—	—	—	0.006
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	—	Surface Mount
operating temperature	—	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	—	SC-75, SOT-416
rohs status	—	—	—	RoHS Compliant
eccn	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	8541.21.0095
supplier device package	—	—	—	SSM
длина	—	—	—	1.6 mm
время нарастания	—	—	—	3 ns
время спада	—	—	—	24 ns
коммерческое обозначение	—	—	—	U-MOSVII-H
series	—	—	—	U-MOSVII-H ->
pd - рассеивание мощности	—	—	—	500 mW
количество каналов	—	—	—	1 Channel
base product number	—	—	—	2SK2989 ->
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
technology	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	170 mA
qg - заряд затвора	—	—	—	350 pC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	2.8 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	1.1 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	450 mS
полярность транзистора	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	7 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	2 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	170mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	60V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	4.5V, 10V
fet type	—	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	0.35nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	—	17pF @ 10V
power dissipation (max)	—	—	—	150mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	3.9Ohm @ 100mA, 10V
vgs (max)	—	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	2.1V @ 250ВµA