Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SSM3K72CFS,LF
Цена	59 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.006
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	SC-75, SOT-416
rohs status	RoHS Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SOT-416-3
eccn	EAR99
htsus	8541.21.0095
серия	SSM3K36
supplier device package	SSM
длина	1.6 mm
время нарастания	3 ns
время спада	24 ns
коммерческое обозначение	U-MOSVII-H
series	U-MOSVII-H ->
pd - рассеивание мощности	500 mW
количество каналов	1 Channel
base product number	2SK2989 ->
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	170 mA
qg - заряд затвора	350 pC
rds вкл - сопротивление сток-исток	2.8 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	450 mS
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	7 ns
типичное время задержки при включении	2 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	170mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	60V
drive voltage (max rds on, min rds on)	4.5V, 10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	0.35nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	17pF @ 10V
power dissipation (max)	150mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	3.9Ohm @ 100mA, 10V
vgs (max)	В±20V
vgs(th) (max) @ id	2.1V @ 250ВµA