Сравнение

	SI1308EDL-T1-GE3
Цена	48 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.034
Вес и габариты	—
rds on - drain-source resistance	132mО© @ 1.4A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	1.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	1.4A
power dissipation-max (ta=25в°c)	400mW