Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	STW70N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 42А, 446Вт, TO247
Цена	0 ₽	0 ₽	1 230 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	—
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	-55 C
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	+150 C
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вес, г	—	—	4.54
package / case	—	—	TO-247-3
вид монтажа	—	—	Through Hole
категория продукта	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	55 C
подкатегория	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	600
тип продукта	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	STMicroelectronics
упаковка / блок	—	—	TO-247-3
серия	—	—	STW70N60DM2
время нарастания	—	—	67 ns
время спада	—	—	10.4 ns
коммерческое обозначение	—	—	MDmesh
factory pack quantity	—	—	600
manufacturer	—	—	STMicroelectronics
mounting style	—	—	Through Hole
product category	—	—	MOSFET
product type	—	—	MOSFET
series	—	—	STW70N60DM2
subcategory	—	—	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	—	—	446 W
количество каналов	—	—	1 Channel
configuration	—	—	Single
fall time	—	—	10.4 ns
rise time	—	—	67 ns
number of channels	—	—	1 Channel
tradename	—	—	MDmesh
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
technology	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	446 W
id - непрерывный ток утечки	—	—	66 A
qg - заряд затвора	—	—	121 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	42 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	3 V
канальный режим	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	112 ns
типичное время задержки при включении	—	—	32 ns
channel mode	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	42 mOhms
transistor polarity	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	600 V
vgs - gate-source voltage	—	—	25 V
id - continuous drain current	—	—	66 A
typical turn-on delay time	—	—	32 ns
typical turn-off delay time	—	—	112 ns
qg - gate charge	—	—	121 nC
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	3 V