Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	IRF9640SPBF, транзистор P канал 200В -11А D2Pak
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	210 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Surface Mount	—	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	40 C	—	—
выходной ток	50мА	50 mA	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—
package type	SOT-89	—	—	D2PAK (TO-263)
minimum operating temperature	-40 C	—	—	-55 °C
width	2.6mm	—	—	9.65mm
pin count	3+Tab	—	—	3
maximum operating temperature	+125 C	—	—	+150 °C
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—
тип выхода	фиксированный	Fixed	—	—
output type	Fixed	—	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	—
output voltage	3.3 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	—	1 Output	—	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	—	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	2000	—	—
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	—	TO-92-3	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
length	—	—	—	10.41mm
height	—	—	—	4.83mm
number of elements per chip	—	—	—	1
channel type	—	—	—	P
Структура	—	—	—	p-канал
максимальное напряжение сток-исток uси,в	—	—	—	-200
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а	—	—	—	-11
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	—	—	—	125
transistor configuration	—	—	—	Single
maximum drain source voltage	—	—	—	200 V
maximum gate source voltage	—	—	—	-20 V, +20 V
maximum continuous drain current	—	—	—	11 A
transistor material	—	—	—	Si
maximum drain source resistance	—	—	—	500 mΩ
channel mode	—	—	—	Enhancement
minimum gate threshold voltage	—	—	—	2V
maximum power dissipation	—	—	—	3 W
typical gate charge @ vgs	—	—	—	44 nC @ 10 V
крутизна характеристики s,а/в	—	—	—	4.1
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	—	—	—	-4
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом	—	—	—	500
температура, с	—	—	—	-55…+150