Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	STI55NF03L
Цена	0 ₽	370 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	Through Hole
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	-60В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	60 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	1000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	STMicroelectronics
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-262-3
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	STI55NF03L
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	I2PAK
длина	—	10.4 mm
время нарастания	—	400 ns
время спада	—	50 ns
коммерческое обозначение	—	STripFET
series	—	STripFETв„ў II ->
pd - рассеивание мощности	—	80 W
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	STI55 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
квалификация	—	AEC-Q101
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	—	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки	—	55 A
qg - заряд затвора	—	27 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	10 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.5 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	25 ns
типичное время задержки при включении	—	28 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	55A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	30V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	4.5V, 10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	27nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	1265pF @ 25V
power dissipation (max)	—	80W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	13mOhm @ 27.5A, 10V
vgs (max)	—	В±16V
vgs(th) (max) @ id	—	2.5V @ 250ВµA