Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	TP65H035WS
Цена	0 ₽	5 400 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	Through Hole
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
moisture sensitivity level (msl)	—	3 (168 Hours)
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-247-3
rohs status	—	RoHS Compliant
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
supplier device package	—	TO-247-3
вид монтажа:	—	Through Hole
категория продукта:	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	—	- 55 C
подкатегория:	—	MOSFETs
производитель:	—	Transphorm
серия:	—	TP65H
тип продукта:	—	MOSFET
торговая марка:	—	Transphorm
размер фабричной упаковки:	—	30
упаковка / блок:	—	TO-247-3
время нарастания:	—	13.5 ns
время спада:	—	11.5 ns
technology	—	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
pd - рассеивание мощности:	—	156 W
количество каналов:	—	1 Channel
технология:	—	GaN
конфигурация:	—	Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	46.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	650V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	12V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	36nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	1500pF @ 400V
power dissipation (max)	—	156W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	41mOhm @ 30A, 10V
vgs (max)	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	4.8V @ 1mA
id - непрерывный ток утечки:	—	46.5 A
qg - заряд затвора:	—	36 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	—	41 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	—	650 V
vgs - напряжение затвор-исток:	—	- 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	—	3.3 V
канальный режим:	—	Enhancement
полярность транзистора:	—	N-Channel
тип транзистора:	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения:	—	98.5 ns
типичное время задержки при включении:	—	69 ns