Сравнение

STI33N65M2
Цена 0 1 280
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1.438
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-262-3
серия STI33N65M2
время нарастания 11.5 ns
время спада 9 ns
коммерческое обозначение MDmesh
pd - рассеивание мощности 190 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 24 A
qg - заряд затвора 41.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 117 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 72.5 ns
типичное время задержки при включении 13.5 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль