Сравнение

SSM6J212FE,LF
Цена 0 150
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.036
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 4000
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок ES6-6
серия SSM6J212
длина 1.6 mm
коммерческое обозначение U-MOSVI
pd - рассеивание мощности 500 mW
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 4 A
qg - заряд затвора 14.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 94 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль