Сравнение

	AP7383-44W5-7	SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,35А, 0,08Вт, SC75A
Цена	0 ₽	85 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	0.1
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	3000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	SC-75A-3
серия	—	SI1
длина	—	1.575 mm
время нарастания	—	5 ns
время спада	—	11 ns
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	—	175 mW
другие названия товара №	—	SI1012R-GE3
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	600 mA
qg - заряд затвора	—	750 pC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	700 mOhms
vgs - напряжение затвор-исток	—	4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	450 mV
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	1 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	25 ns
типичное время задержки при включении	—	5 ns
rds on - drain-source resistance	—	700mО© @ 600mA,4.5V
transistor polarity	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	20V
vgs - gate-source voltage	—	900mV @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	500mA
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	150mW